日本商标注册的【欧陆注册】资料
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一、二战日本法西斯体制建立的标志是甚麽
日本内阁恢复了陆海军大臣现役武官制。这一将陆海军大臣的任职资格限定于现役将领的制度，使军部能在政府与军部意见不合时，以陆海军大臣辞职等办法使政府无法组成，只有下台。这样，政府只好听命于军部。以广田上台组阁为标志，以天皇和军部为核心的法西斯体制在日本建立起来。
二、优衣库的商标编号
优衣库是日本的，它的商标是uN工QLo
三、mos管的命名规则
日本生产的半导体分立器件，由五至七部分组成。通常只用到前五个部分，其各部分的符号意义如下：
第一部分：用数字表示器件有效电极数目或类型。0-光电（即光敏）二极管三极管及上述器件的组合管、1-二极管、2三极或具有两个pn结的其他器件、3-具有四个有效电极或具有三个pn结的其他器件、┄┄依此类推。
第二部分：日本电子工业协会JEIA注册标志。S-表示已在日本电子工业协会JEIA注册登记的半导体分立器件。
第三部分：用字母表示器件使用材料极性和类型。A-PNP型高频管、B-PNP型低频管、C-NPN型高频管、D-NPN型低频管、F-P控制极可控硅、G-N控制极可控硅、H-N基极单结晶体管、J-P沟道场效应管(MOSFET)、K-N沟道场效应管(MOSFET)、M-双向可控硅。
第四部分：用数字表示在日本电子工业协会JEIA登记的顺序号。两位以上的整数-从“11”开始，表示在日本电子工业协会JEIA登记的顺序号；不同公司的性能相同的器件可以使用同一顺序号；数字越大，越是近期产品。
第五部分：用字母表示同一型号的改进型产品标志。A、B、C、D、E、F表示这一器件是原型号产品的改进产品。
如2SK134为N沟道MOSFET，2SJ49为P沟道MOSFET。
中国命名场效应管(MOSFET)通常有下列两种命名方法。
第一种命名方法是使用“中国半导体器件型号命名法”的第3、第4和第5部分来命名，其中的第3部分用字母CS表示场效应管(MOSFET)，第4部分用阿拉伯数字表示器件序号，第5部分用汉语拼音字母表示规格号。例如CS2B、CS14A、CS45G等。
第二种命名方法与双极型三极管相同，第一位用数字代表电极数；第二位用字母代表极性（其中D是N沟道，C是P沟道）；第三位用字母代表类型（其中J代表结型场效应管(MOSFET)，O代表绝缘栅场效应管(MOSFET)）。例如，3DJ6D是N沟道结型场效应三极管，3D06C是N沟道绝缘栅型场效应三极管。
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